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| 数据手册 | ALD910018SALI 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10.6 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10.6 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 mA |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.82 V |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,268
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥22.8018
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥22.8018 | ￥1,140.0900 |
| 100+ | ￥21.3123 | ￥2,131.2300 |
| 250+ | ￥19.2674 | ￥4,816.8500 |
| 500+ | ￥17.2226 | ￥8,611.3000 |
| 1,000+ | ￥14.5607 | ￥14,560.7000 |
| 2,500+ | ￥13.8821 | ￥34,705.2500 |
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