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    TJ90S04M3L,LXHQ

    MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 DPAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 180 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, 10 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 40 V
    Id-连续漏极电流 90 A
    Rds On-漏源导通电阻 4.3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 - 2 V
    Qg-栅极电荷 172 nC
    通道模式 Enhancement