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数据手册 | TJ90S04M3L,LXHQ 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, Reel |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | DPAK-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 180 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, 10 V |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | - 2 V |
Qg-栅极电荷 | 172 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,434
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1