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| 数据手册 | RM30P55LD-T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-2 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,462
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 2500
- 参考单价：
- ￥2.0977
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 2,500+ | ￥2.0977 | ￥5,244.2500 |
| 5,000+ | ￥1.9126 | ￥9,563.0000 |
| 10,000+ | ￥1.7452 | ￥17,452.0000 |
| 25,000+ | ￥1.7187 | ￥42,967.5000 |
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