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| 数据手册 | RQ3E150MNTB1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装 / 箱体 | HSMT-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
库存：58,159
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 3000
- 参考单价：
- ￥2.8910
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 3,000+ | ￥2.8910 | ￥8,673.0000 |
| 9,000+ | ￥2.7852 | ￥25,066.8000 |
| 24,000+ | ￥2.6883 | ￥64,519.2000 |
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