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数据手册 | RSD100N10TL 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-252-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 20 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 133 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 18 nC |
库存:51,485
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 2500
- 参考单价:
- ¥2.9703
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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2,500+ | ¥2.9703 | ¥7,425.7500 |
10,000+ | ¥2.8557 | ¥28,557.0000 |
25,000+ | ¥2.7676 | ¥69,190.0000 |
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