文档与媒体
| 数据手册 | IXFK100N25 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,216
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 25
- 参考单价：
- ￥110.6069
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥110.6069 | ￥2,765.1725 |
| 50+ | ￥105.3361 | ￥5,266.8050 |
| 100+ | ￥102.7977 | ￥10,279.7700 |
| 250+ | ￥94.1864 | ￥23,546.6000 |
| 500+ | ￥85.5046 | ￥42,752.3000 |
申请更低价? 请联系客服
