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NVMFS5C410NLAFT3G

MOSFET T6 40V HEFET

制造商:
ON Semiconductor
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 NVMFS5C410NLAFT3G 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
资格 AEC-Q101
封装 Reel
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 175 C
通道数量 1 Channel
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 167 W, 3.8 W
Vgs - 栅极-源极电压 10 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 40 V
Id-连续漏极电流 330 A
Rds On-漏源导通电阻 650 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V
Qg-栅极电荷 143 nC
通道模式 Enhancement

库存:58,892

交货地:
国内
最小包装:
5000
参考单价:
¥5.5176
数量 单价(含税) 总计
5,000+ ¥5.5176 ¥27,588.0000
10,000+ ¥5.3060 ¥53,060.0000

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