文档与媒体
| 数据手册 | SIR164ADP-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET, PowerPAK |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V, - 16 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 77 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,736
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 6000
- 参考单价：
- ￥2.5561
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 6,000+ | ￥2.5561 | ￥15,336.6000 |
| 12,000+ | ￥2.4503 | ￥29,403.6000 |
| 24,000+ | ￥2.4062 | ￥57,748.8000 |
申请更低价? 请联系客服
