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| 数据手册 | TPN1110ENH,L1Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TSON-Advance-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | U-MOSVIII-H |
| 配置 | Triple |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 96 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,384
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 5000
- 参考单价：
- ￥3.5609
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5,000+ | ￥3.5609 | ￥17,804.5000 |
| 10,000+ | ￥3.3934 | ￥33,934.0000 |
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