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数据手册 | IXTH96N25T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 625 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Id-连续漏极电流 | 96 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,482
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 30
- 参考单价:
- ¥29.9235
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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30+ | ¥29.9235 | ¥897.7050 |
60+ | ¥29.3066 | ¥1,758.3960 |
120+ | ¥28.1960 | ¥3,383.5200 |
270+ | ¥24.1063 | ¥6,508.7010 |
510+ | ¥22.8635 | ¥11,660.3850 |
1,020+ | ¥19.2674 | ¥19,652.7480 |
2,520+ | ¥16.4822 | ¥41,535.1440 |
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