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| 数据手册 | TK20C60W,S1VQ 点击下载 |
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产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 165 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
