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数据手册 | IXFT7N90Q 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-268-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 180 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,975
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥128.0145
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥128.0145 | ¥128.0145 |
5+ | ¥121.6332 | ¥608.1660 |
10+ | ¥118.4073 | ¥1,184.0730 |
25+ | ¥108.8088 | ¥2,720.2200 |
50+ | ¥104.1550 | ¥5,207.7500 |
100+ | ¥101.1230 | ¥10,112.3000 |
250+ | ¥92.8202 | ¥23,205.0500 |
500+ | ¥88.3604 | ¥44,180.2000 |
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