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| 数据手册 | TK62J60W,S1VQ 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 61.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,854
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥87.8668
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥87.8668 | ￥87.8668 |
| 10+ | ￥80.6745 | ￥806.7450 |
| 25+ | ￥79.5640 | ￥1,989.1000 |
| 50+ | ￥78.1978 | ￥3,909.8900 |
| 100+ | ￥66.9159 | ￥6,691.5900 |
| 250+ | ￥66.2372 | ￥16,559.3000 |
| 500+ | ￥60.5963 | ￥30,298.1500 |
| 1,000+ | ￥55.5811 | ￥55,581.1000 |
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