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    ES6U2T2R

    MOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 ES6U2T2R 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-563T-6
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 800 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel, SBD
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 1.5 A
    Rds On-漏源导通电阻 130 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 300 mV
    Qg-栅极电荷 1.8 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,780

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.1682
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.1682 ¥2.1682
    10+ ¥1.6482 ¥16.4820
    100+ ¥0.8902 ¥89.0200
    1,000+ ¥0.6690 ¥669.0000
    8,000+ ¥0.5394 ¥4,315.2000
    24,000+ ¥0.4953 ¥11,887.2000
    48,000+ ¥0.4768 ¥22,886.4000
    96,000+ ¥0.4583 ¥43,996.8000

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