TSM1NB60CH C5G
MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | TSM1NB60CH C5G 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-251-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 39 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 6.1 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:52,916
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥5.0152
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥5.0152 | ¥5.0152 |
10+ | ¥4.3982 | ¥43.9820 |
100+ | ¥2.9968 | ¥299.6800 |
500+ | ¥2.5032 | ¥1,251.6000 |
1,000+ | ¥2.1330 | ¥2,133.0000 |
2,500+ | ¥1.9920 | ¥4,980.0000 |
5,000+ | ¥1.7981 | ¥8,990.5000 |
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