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| 数据手册 | IXFB82N60Q3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.56 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 82 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 275 nC |
库存：52,936
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥192.4537
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥192.4537 | ￥192.4537 |
| 5+ | ￥182.8552 | ￥914.2760 |
| 10+ | ￥182.5379 | ￥1,825.3790 |
| 25+ | ￥158.7490 | ￥3,968.7250 |
| 50+ | ￥156.6424 | ￥7,832.1200 |
| 100+ | ￥152.0591 | ￥15,205.9100 |
| 250+ | ￥139.5432 | ￥34,885.8000 |
| 500+ | ￥132.7829 | ￥66,391.4500 |
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