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    TK35N65W,S1F

    MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK35N65W,S1F 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 DTMOSIV
    配置 Single
    Pd-功率耗散 270 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 35 A
    Rds On-漏源导通电阻 68 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
    Qg-栅极电荷 100 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,883

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥42.1926
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥42.1926 ¥42.1926
    10+ ¥38.0412 ¥380.4120
    25+ ¥37.4859 ¥937.1475
    100+ ¥30.1174 ¥3,011.7400
    500+ ¥26.5830 ¥13,291.5000
    1,000+ ¥23.9212 ¥23,921.2000
    2,500+ ¥22.9869 ¥57,467.2500

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