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    IXFP4N100PM

    MOSFET DISCMOSFETN-CH HIPERFET-POLA

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFP4N100PM 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 40 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1 kV
    Id-连续漏极电流 2.1 A
    Rds On-漏源导通电阻 3.3 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 26 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,546

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥33.8898
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥33.8898 ¥33.8898
    10+ ¥30.3025 ¥303.0250
    25+ ¥26.3362 ¥658.4050
    50+ ¥25.7721 ¥1,288.6050
    100+ ¥24.8467 ¥2,484.6700
    250+ ¥21.1889 ¥5,297.2250
    500+ ¥20.1400 ¥10,070.0000
    1,000+ ¥16.9758 ¥16,975.8000
    2,500+ ¥14.5607 ¥36,401.7500

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