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数据手册 | IXTA180N10T7 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-263-7 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 480 W |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 180 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 6.4 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,329
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥29.8618
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥29.8618 | ¥29.8618 |
10+ | ¥26.7064 | ¥267.0640 |
25+ | ¥23.2337 | ¥580.8425 |
50+ | ¥22.7401 | ¥1,137.0050 |
100+ | ¥21.9380 | ¥2,193.8000 |
250+ | ¥18.7121 | ¥4,678.0250 |
500+ | ¥17.7250 | ¥8,862.5000 |
1,000+ | ¥14.9926 | ¥14,992.6000 |
2,500+ | ¥12.8244 | ¥32,061.0000 |
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