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| 数据手册 | TK10J80E,S1E 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | MOSVIII |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,984
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.2057
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.2057 | ￥19.2057 |
| 10+ | ￥15.3628 | ￥153.6280 |
| 100+ | ￥14.0671 | ￥1,406.7100 |
| 250+ | ￥12.7010 | ￥3,175.2500 |
| 500+ | ￥11.4053 | ￥5,702.6500 |
| 1,000+ | ￥9.6073 | ￥9,607.3000 |
| 2,500+ | ￥9.1049 | ￥22,762.2500 |
| 5,000+ | ￥8.7964 | ￥43,982.0000 |
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