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数据手册 | TK12Q60W,S1VQ 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-251-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | DTMOSIV |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 100 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
Qg-栅极电荷 | 25 nC |
库存:51,579
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥13.2563
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥13.2563 | ¥13.2563 |
10+ | ¥9.2988 | ¥92.9880 |
75+ | ¥9.2988 | ¥697.4100 |
500+ | ¥7.5007 | ¥3,750.3500 |
1,000+ | ¥6.1962 | ¥6,196.2000 |
2,500+ | ¥5.7644 | ¥14,411.0000 |
5,000+ | ¥5.5528 | ¥27,764.0000 |
10,000+ | ¥4.8301 | ¥48,301.0000 |
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