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数据手册 | TK5Q60W,S1VQ 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-251-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | DTMOSIV |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 60 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 770 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
库存:53,252
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥9.9774
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥9.9774 | ¥9.9774 |
10+ | ¥8.4879 | ¥84.8790 |
100+ | ¥6.8132 | ¥681.3200 |
500+ | ¥5.9230 | ¥2,961.5000 |
1,000+ | ¥4.9094 | ¥4,909.4000 |
2,500+ | ¥4.5745 | ¥11,436.2500 |
5,000+ | ¥4.3982 | ¥21,991.0000 |
10,000+ | ¥4.2307 | ¥42,307.0000 |
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