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    TK42A12N1,S4X

    MOSFET MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK42A12N1,S4X 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 35 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 120 V
    Id-连续漏极电流 42 A
    Rds On-漏源导通电阻 7.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 52 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,195

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥8.7964
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥8.7964 ¥8.7964
    10+ ¥7.8092 ¥78.0920
    100+ ¥5.5969 ¥559.6900
    500+ ¥4.7419 ¥2,370.9500
    1,000+ ¥3.8605 ¥3,860.5000
    2,500+ ¥3.4639 ¥8,659.7500

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