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    TK40A10N1,S4X

    MOSFET MOSFET NCh6.8ohm VGS10V10uAVDS100V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK40A10N1,S4X 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 35 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 40 A
    Rds On-漏源导通电阻 6.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 49 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,727

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥13.1946
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥13.1946 ¥13.1946
    10+ ¥10.6561 ¥106.5610
    100+ ¥9.5456 ¥954.5600
    500+ ¥7.4390 ¥3,719.5000
    1,000+ ¥6.1610 ¥6,161.0000
    2,500+ ¥5.7379 ¥14,344.7500
    5,000+ ¥5.5264 ¥27,632.0000
    10,000+ ¥4.8036 ¥48,036.0000

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