ZXMC3F31DN8TA
MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | ZXMC3F31DN8TA 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 7.3 A, 5.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 24 mOhms, 80 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V, 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 12.9 nC, 12.7 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,786
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.1514
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.1514 | ￥4.1514 |
| 10+ | ￥3.4551 | ￥34.5510 |
| 100+ | ￥2.2299 | ￥222.9900 |
| 500+ | ￥2.2299 | ￥1,114.9500 |
| 1,000+ | ￥1.7804 | ￥1,780.4000 |
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