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    STB24N60DM2

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STB24N60DM2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 FDmesh
    配置 Single
    Pd-功率耗散 150 W
    Vgs - 栅极-源极电压 25 V
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 18 A
    Rds On-漏源导通电阻 200 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 29 nC

    库存:50,836

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥15.8652
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥15.8652 ¥15.8652
    10+ ¥13.4502 ¥134.5020
    100+ ¥10.4710 ¥1,047.1000
    250+ ¥10.1625 ¥2,540.6250
    1,000+ ¥7.5007 ¥7,500.7000
    2,000+ ¥7.3156 ¥14,631.2000
    5,000+ ¥6.8749 ¥34,374.5000
    10,000+ ¥6.5664 ¥65,664.0000

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