STB24N60DM2
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
- 制造商:
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | STB24N60DM2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | FDmesh |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 18 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 29 nC |
库存:50,836
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥15.8652
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥15.8652 | ¥15.8652 |
10+ | ¥13.4502 | ¥134.5020 |
100+ | ¥10.4710 | ¥1,047.1000 |
250+ | ¥10.1625 | ¥2,540.6250 |
1,000+ | ¥7.5007 | ¥7,500.7000 |
2,000+ | ¥7.3156 | ¥14,631.2000 |
5,000+ | ¥6.8749 | ¥34,374.5000 |
10,000+ | ¥6.5664 | ¥65,664.0000 |
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