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| 数据手册 | DMN21D2UFB-7 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | X1-DFN1006-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 0.38 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 760 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 0.99 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 0.93 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,284
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.0320
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.0320 | ￥3.0320 |
| 10+ | ￥1.9567 | ￥19.5670 |
| 100+ | ￥0.8426 | ￥84.2600 |
| 1,000+ | ￥0.6443 | ￥644.3000 |
| 2,500+ | ￥0.4892 | ￥1,223.0000 |
| 10,000+ | ￥0.4398 | ￥4,398.0000 |
| 25,000+ | ￥0.4090 | ￥10,225.0000 |
| 50,000+ | ￥0.3658 | ￥18,290.0000 |
| 100,000+ | ￥0.3534 | ￥35,340.0000 |
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