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    IPP60R125CFD7XKSA1

    MOSFET HIGH POWER_NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPP60R125CFD7XKSA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 92 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 18 A
    Rds On-漏源导通电阻 125 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
    Qg-栅极电荷 36 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,008

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥24.5382
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥24.5382 ¥24.5382
    10+ ¥20.8804 ¥208.8040
    100+ ¥15.7418 ¥1,574.1800
    500+ ¥14.8075 ¥7,403.7500
    1,000+ ¥13.2563 ¥13,256.3000

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