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| 数据手册 | TK9J90E,S1E 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P(N)-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | MOSVIII |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.3 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,723
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥18.6504
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.6504 | ￥18.6504 |
| 10+ | ￥15.8652 | ￥158.6520 |
| 100+ | ￥12.6393 | ￥1,263.9300 |
| 500+ | ￥11.2114 | ￥5,605.7000 |
| 1,000+ | ￥9.6073 | ￥9,607.3000 |
| 2,500+ | ￥9.4222 | ￥23,555.5000 |
| 5,000+ | ￥8.6113 | ￥43,056.5000 |
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