NVMFD5C650NLWFT1G
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NVMFD5C650NLWFT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | DFN-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 111 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms, 3.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC, 37 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,220
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.6970
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.6970 | ￥13.6970 |
| 10+ | ￥11.6521 | ￥116.5210 |
| 100+ | ￥9.0432 | ￥904.3200 |
| 250+ | ￥8.7964 | ￥2,199.1000 |
| 1,000+ | ￥6.5047 | ￥6,504.7000 |
| 1,500+ | ￥6.3196 | ￥9,479.4000 |
| 4,500+ | ￥5.9759 | ￥26,891.5500 |
| 9,000+ | ￥5.8349 | ￥52,514.1000 |
申请更低价? 请联系客服
