NVMFD5C650NLT1G
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NVMFD5C650NLT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | DFN-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 111 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms, 3.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC, 37 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,061
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12.9478
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.9478 | ￥12.9478 |
| 10+ | ￥11.0263 | ￥110.2630 |
| 100+ | ￥8.5496 | ￥854.9600 |
| 250+ | ￥8.3028 | ￥2,075.7000 |
| 1,000+ | ￥6.1698 | ￥6,169.8000 |
| 1,500+ | ￥5.9847 | ￥8,977.0500 |
| 4,500+ | ￥5.6410 | ￥25,384.5000 |
| 9,000+ | ￥5.5176 | ￥49,658.4000 |
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