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数据手册 | SIHH180N60E-T1-GE3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PowerPAK-8x8-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 114 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 33 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:50,799
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥31.2897
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥31.2897 | ¥31.2897 |
10+ | ¥25.9043 | ¥259.0430 |
100+ | ¥21.8147 | ¥2,181.4700 |
250+ | ¥21.3740 | ¥5,343.5000 |
500+ | ¥18.7738 | ¥9,386.9000 |
1,000+ | ¥15.8035 | ¥15,803.5000 |
3,000+ | ¥14.8075 | ¥44,422.5000 |
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