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| 数据手册 | SIDR392DP-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8DC-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 620 uOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 125 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,423
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.5439
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.5439 | ￥16.5439 |
| 10+ | ￥14.8075 | ￥148.0750 |
| 100+ | ￥11.8989 | ￥1,189.8900 |
| 500+ | ￥9.7924 | ￥4,896.2000 |
| 1,000+ | ￥8.1177 | ￥8,117.7000 |
| 3,000+ | ￥7.3156 | ￥21,946.8000 |
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