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    IRF640NSTRRPBF

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRF640NSTRRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 D2PAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 150 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 18 A
    Rds On-漏源导通电阻 150 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 44.7 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,394

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥8.7964
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥8.7964 ¥8.7964
    10+ ¥7.4390 ¥74.3900
    100+ ¥5.5616 ¥556.1600
    500+ ¥4.7507 ¥2,375.3500
    800+ ¥4.1867 ¥3,349.3600
    2,400+ ¥4.0544 ¥9,730.5600
    9,600+ ¥3.9310 ¥37,737.6000

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