文档与媒体
| 数据手册 | TK650A60F,S4X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220SIS-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | MOSIX |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,723
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.9326
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.9326 | ￥7.9326 |
| 10+ | ￥6.9366 | ￥69.3660 |
| 100+ | ￥5.0416 | ￥504.1600 |
| 500+ | ￥4.2748 | ￥2,137.4000 |
| 1,000+ | ￥3.4815 | ￥3,481.5000 |
| 2,500+ | ￥3.1202 | ￥7,800.5000 |
| 10,000+ | ￥3.0761 | ￥30,761.0000 |
申请更低价? 请联系客服
