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| 数据手册 | TK39J60W5,S1VQ 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 38.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,764
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥65.1883
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥65.1883 | ￥65.1883 |
| 10+ | ￥58.8687 | ￥588.6870 |
| 25+ | ￥57.9344 | ￥1,448.3600 |
| 100+ | ￥46.5379 | ￥4,653.7900 |
| 500+ | ￥41.0821 | ￥20,541.0500 |
| 1,000+ | ￥36.9307 | ￥36,930.7000 |
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