图像仅供参考 请参阅产品规格

    TK39A60W,S4VX

    MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK39A60W,S4VX 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 DTMOSIV
    配置 Single
    Pd-功率耗散 50 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 38.8 A
    Rds On-漏源导通电阻 55 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.7 V
    Qg-栅极电荷 110 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,808

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥57.5025
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥57.5025 ¥57.5025
    10+ ¥51.9233 ¥519.2330
    50+ ¥49.5699 ¥2,478.4950
    100+ ¥41.0821 ¥4,108.2100
    500+ ¥36.2520 ¥18,126.0000
    1,000+ ¥32.5942 ¥32,594.2000

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯