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    TK31E60W,S1VX

    MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK31E60W,S1VX 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 DTMOSIV
    配置 Single
    Pd-功率耗散 230 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 30.8 A
    Rds On-漏源导通电阻 73 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.7 V
    Qg-栅极电荷 86 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,856

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥47.2783
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥47.2783 ¥47.2783
    10+ ¥43.4354 ¥434.3540
    50+ ¥37.7327 ¥1,886.6350
    100+ ¥35.0092 ¥3,500.9200
    250+ ¥32.1623 ¥8,040.5750
    500+ ¥29.3066 ¥14,653.3000
    1,000+ ¥25.5253 ¥25,525.3000
    2,500+ ¥24.5999 ¥61,499.7500

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