文档与媒体
| 数据手册 | IXFQ20N50P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 380 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 36 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,438
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.3082
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.3082 | ￥22.3082 |
| 10+ | ￥20.0166 | ￥200.1660 |
| 100+ | ￥15.1160 | ￥1,511.6000 |
| 500+ | ￥13.4502 | ￥6,725.1000 |
| 1,000+ | ￥11.5287 | ￥11,528.7000 |
| 2,500+ | ￥11.3348 | ￥28,337.0000 |
申请更低价? 请联系客服
