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数据手册 | TK4K1A60F,S4X 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220SIS-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | MOSIX |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 30 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.1 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 8 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:52,180
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥4.8918
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥4.8918 | ¥4.8918 |
10+ | ¥4.2924 | ¥42.9240 |
100+ | ¥2.4415 | ¥244.1500 |
1,000+ | ¥2.0801 | ¥2,080.1000 |
2,500+ | ¥1.7540 | ¥4,385.0000 |
25,000+ | ¥1.6835 | ¥42,087.5000 |
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