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| 数据手册 | TK65A10N1,S4X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220FP-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | U-MOSVIII-H |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 81 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,884
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.4822
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.4822 | ￥16.4822 |
| 10+ | ￥14.8075 | ￥148.0750 |
| 100+ | ￥10.8412 | ￥1,084.1200 |
| 500+ | ￥9.1666 | ￥4,583.3000 |
| 1,000+ | ￥7.8092 | ￥7,809.2000 |
| 2,500+ | ￥7.6858 | ￥19,214.5000 |
| 5,000+ | ￥7.1217 | ￥35,608.5000 |
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