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数据手册 | TK39N60X,S1F 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | DTMOSIV-H |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 270 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 38.8 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
Qg-栅极电荷 | 85 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:51,941
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥38.6670
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥38.6670 | ¥38.6670 |
10+ | ¥34.8858 | ¥348.8580 |
25+ | ¥34.3922 | ¥859.8050 |
100+ | ¥27.5702 | ¥2,757.0200 |
500+ | ¥24.3531 | ¥12,176.5500 |
1,000+ | ¥21.9380 | ¥21,938.0000 |
2,500+ | ¥21.0655 | ¥52,663.7500 |
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