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    TK100A08N1,S4X

    MOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK100A08N1,S4X 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 45 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 80 V
    Id-连续漏极电流 100 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.6 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 130 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,513

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥22.1231
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥22.1231 ¥22.1231
    10+ ¥19.5142 ¥195.1420
    100+ ¥14.9926 ¥1,499.2600
    500+ ¥13.3180 ¥6,659.0000
    1,000+ ¥11.4053 ¥11,405.3000
    2,500+ ¥11.2114 ¥28,028.5000
    5,000+ ¥10.2242 ¥51,121.0000

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