SQM120N02-1M3L_GE3
MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQM120N02-1M3L_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.1 MOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 290 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,799
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.9141
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.9141 | ￥16.9141 |
| 10+ | ￥14.7458 | ￥147.4580 |
| 100+ | ￥11.5904 | ￥1,159.0400 |
| 500+ | ￥9.7307 | ￥4,865.3500 |
| 1,000+ | ￥7.5007 | ￥7,500.7000 |
| 2,500+ | ￥7.3773 | ￥18,443.2500 |
| 5,000+ | ￥7.3156 | ￥36,578.0000 |
| 10,000+ | ￥6.9366 | ￥69,366.0000 |
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