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    TK4A60DA(STA4,Q,M)

    MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK4A60DA(STA4,Q,M) 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 MOSVII
    配置 Single
    Pd-功率耗散 35 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 3.5 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.7 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4.4 V
    Qg-栅极电荷 11 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,429

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥8.2411
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥8.2411 ¥8.2411
    10+ ¥5.2443 ¥52.4430
    100+ ¥5.0681 ¥506.8100
    500+ ¥4.4775 ¥2,238.7500
    1,000+ ¥3.5344 ¥3,534.4000
    2,500+ ¥3.1378 ¥7,844.5000
    10,000+ ¥3.0144 ¥30,144.0000
    25,000+ ¥2.9262 ¥73,155.0000

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