RQ3E150GNTB
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RQ3E150GNTB 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | HSMT-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 6.1 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 15.3 nC |
库存:51,323
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥3.1642
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥3.1642 | ¥3.1642 |
10+ | ¥2.6178 | ¥26.1780 |
100+ | ¥1.5953 | ¥159.5300 |
1,000+ | ¥1.2340 | ¥1,234.0000 |
3,000+ | ¥1.0577 | ¥3,173.1000 |
9,000+ | ¥0.9784 | ¥8,805.6000 |
24,000+ | ¥0.9255 | ¥22,212.0000 |
45,000+ | ¥0.9078 | ¥40,851.0000 |
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