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    RHU002N06FRAT106

    MOSFET 4V DRIVE NCH MOSFET

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RHU002N06FRAT106 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-323-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 200 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 200 mA
    Rds On-漏源导通电阻 2.4 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1 V
    Qg-栅极电荷 2.2 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,509

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.8469
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.8469 ¥2.8469
    10+ ¥1.8686 ¥18.6860
    100+ ¥0.7994 ¥79.9400
    1,000+ ¥0.6135 ¥613.5000
    3,000+ ¥0.4645 ¥1,393.5000
    9,000+ ¥0.4151 ¥3,735.9000
    24,000+ ¥0.3843 ¥9,223.2000
    45,000+ ¥0.3411 ¥15,349.5000
    99,000+ ¥0.3288 ¥32,551.2000

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