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数据手册 | IXFH12N90P 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 380 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
Qg-栅极电荷 | 56 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:54,431
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥48.5828
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥48.5828 | ¥48.5828 |
10+ | ¥43.7439 | ¥437.4390 |
25+ | ¥36.3754 | ¥909.3850 |
50+ | ¥34.8858 | ¥1,744.2900 |
250+ | ¥31.5982 | ¥7,899.5500 |
500+ | ¥29.3066 | ¥14,653.3000 |
1,000+ | ¥26.2128 | ¥26,212.8000 |
2,500+ | ¥22.4933 | ¥56,233.2500 |
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