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    TK65S04N1L,LQ

    MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK65S04N1L,LQ 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 68 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 40 V
    Id-连续漏极电流 65 A
    Rds On-漏源导通电阻 3.3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 39 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,777

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥11.0263
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥11.0263 ¥11.0263
    10+ ¥9.6073 ¥96.0730
    100+ ¥7.2539 ¥725.3900
    500+ ¥6.1610 ¥3,080.5000
    2,000+ ¥4.9623 ¥9,924.6000
    4,000+ ¥4.6362 ¥18,544.8000
    10,000+ ¥4.4511 ¥44,511.0000

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