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| 数据手册 | IXTP6N50D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 96 nC |
库存：54,629
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.1326
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.1326 | ￥35.1326 |
| 10+ | ￥31.5365 | ￥315.3650 |
| 50+ | ￥30.6727 | ￥1,533.6350 |
| 100+ | ￥23.8595 | ￥2,385.9500 |
| 500+ | ￥21.1889 | ￥10,594.4500 |
| 1,000+ | ￥18.1568 | ￥18,156.8000 |
| 2,500+ | ￥17.8484 | ￥44,621.0000 |
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